随着半导体技术进入到5nm节点以内，对EUV曝光机的需求也不断增长，目前全球只有ASML一家公司能够生产EUV曝光机，今年的出货量还会进一步提升。

当然，EUV这样的曝光机主要用于先进工艺，所以全球有需求也有能力购买EUV曝光机的晶片制造商也不多，ASML CEO日前在采访中提到他们在全球有5家EUV曝光机客户。

虽然没有提到实际的名单，但是台积电、三星、Intel这三家是确定的，他们的生产现在都是要用到EUV曝光机的。

还有2家应该是记忆体晶片厂商了，三星这部分已经在14nm DRAM记忆体上使用EUV曝光技术，SK海力士也跟进了，美光之前的表态相对保守一些，但迟早也会上EUV曝光机来生产记忆体晶片。

虽然只有5家客户，但是最近几年对EUV曝光机的需求提升很快，ASML预计今年会出货60台EUV曝光机，而DUV曝光机达到375台，数量依然远高于EUV。

毕竟EUV曝光机售价昂贵，单价在1.5到2亿美元，台币要46亿元以上。

近年来，ASML已经成为世界半导体技术的中心位置。去年ASML两次提高了生产目标，希望到2025年，其年出货量能达到约600台DUV（深紫外光）曝光机以及90台EUV（极紫外光）曝光机。

新2最新网址（www.hg8080.vip）实时更新发布最新最快最有效的新2网址和新2最新网址,包括新2手机网址,新2备用网址,皇冠最新网址,新2足球网址,新2网址大全。

根据ASML的首席技术长Martin van den Brink表示，目前ASML有序地执行其路线图，且进展顺利，在EUV之后是High-NA EUV技术，ASML正在为客户交付首台High-NA EUV曝光机做准备，大概会在今年某个时间点完成。

开发High-NA EUV技术的最大挑战是为EUV光学器件建构计量工具，配备的反射镜尺寸为此前产品的两倍，同时需要将其平整度控制在20皮米内。这种需要在一个「可以容纳半个公司」的真空容器中进行验证，其位于蔡司公司，这是ASML推进High-NA EUV技术的关键光学合作伙伴，是后来加入的。

High-NA EUV曝光机铁定会比现有的EUV曝光机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因为光源，High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦，ASML还使用水冷铜线为其供电。

外界还想知道，High-NA EUV技术之后的继任者？

ASML技术副总裁Jos Benschop在去年SPIE高级曝光会议上透露了可能的替代方案，即降低波长。不过这种方案需要解决一些问题，因为EUV反射镜反射光的效率很大程度上取决于入射角，而波长的降低会改变角度范围，使得透镜必须变得太大而无法补偿，这种现象也会随着数值孔径的增加而出现。

Martin van den Brink证实，ASML正在对此进行研究，不过他说以他个人而言，怀疑Hyper-NA将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产。

「这意味经过数十年的曝光技术创新，我们可能会走到当前半导体曝光技术之路的尽头。」ASML进行Hyper-NA研究计画的主要目标是提出智慧解决方案，使技术在成本和可制造性方面保持可控。